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元器件特性描述

2020-12-02


应用说明:


半导体元件之建模系基于基础物理学、几何学、设计及操作条件,建构分离式及电子元件(电晶体、电感器、二极体等)的初步模型。在元件上进行晶圆级电性量测以了解元件本身特性,为建模的重要步骤之一。然而随著新元件技术、新材料的掘起、以及制程之发展与整合,元件的电性量测面临日益精密且复杂的测试挑战。


量测需求:


基本的元件特性描述及建模需要进行精准的 I-V/C-V、射频、负载拉移及杂讯量测,故于可控制温度及电磁波阻隔之环境下测试为特性描述之先决条件。

工程师面临量测重现性、下针稳定度、外部杂讯、探针及晶圆载台之漏电流、系统的温控性能,以及元件与各测试仪器间电气之连接等诸多挑战。


MICROTEST 解决方案:


MPI工程探针台系统系为提供精准、可靠的量测结果而生。MPI TS2000-SE 及 TS200-SE 探针台皆提供电磁波及光屏蔽环境,另搭配专用配件如:同轴、Kelvin、三轴量测连接之线材、具备低漏电功能之高低温晶圆载台(在 -60 到 300 °C 的温度范围中,最低可达 fA 等级,且具备优异的温度均匀度)等,适合用于进行准确的元件特性描述。


MPI亦提供完整的射频量测解决方案,透过旗下校正软体 QAlibria® 及 RF 探针,可在至高 110 GHz 的频率范围内协助您达到精准的射频量测及校正结果。


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