失效分析（FA）

应用说明：

对所有半导体制造商及晶片设计公司而言，分析元件失效的真正原因是非常必要的。

量测需求：

失效分析的流程主要有下面几个类别：

• 依据漏电流或开路／短路量测，判断为电性或是功能失效

• 利用热点及放射分析、雷射切割及次微米等级内部节点点测进行失效定位

• 利用次微米探测或扫描式电子显微镜（SEM）、穿透式电子显微镜（TEM）、能量色散X射线光谱仪（EDX）、原子力显微镜（AFM）进行物理性失效分析

• 微位移（micro-motion）分析为晶圆级量测其中一个类别，特别是微机电系统（MEMS）元件

• 需于10 kV 测试环境下进行失效分析的高功率元件

MICROTEST 解決方案

      我们的解决方案可满足失效分析（FA ）应用的所有需求，帮助您在最短时间内获得可靠、精准的量测结果。MPI高稳定度的工程探针台系统及精密的微定位器（MicroPositioners ）为验证电性失效、定位以及除错提供最佳解决方案，搭配防震环境及高倍率显微镜，提供您点测微米结构的能力。可同步使用探针卡及微定位器（适用于待测物驱动与内部讯号量测）、于具备温控（最低可达-60°C ）、光及电磁波屏蔽功能之TS2000-SE和TS200- SE探针台上量测微小讯号，以及其他先进量测技术的创新失效分析（  FA ）测试解决方案中的一小部分。

      MPI工程探针台系统可轻松与显微镜（如日本Hamamatsu Photonics ）进行整合搭配，以侦测及定位失效的积体电路。另一方面，TS150 ／TS200-HP 探针台系统则是至高  10 kV 及600 A 高功率（High Power ）元件等效分析的最佳选择。